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數量:
FF150R12KS4 規格
製造商：英飛凌
產品類別：IGBT 模組
RoHS: 詳細資訊
產品：IGBT 矽模組
配置：雙
集電極-發射器電壓 VCEO 最大值：1.2 kV
集電極-發射極飽和電壓：3.2 V
25 C 時的連續集電極電流：225 A
閘極-發射器漏電電流：400 nA
Pd - 功率耗散：1.25 kW
包裝/箱：62 mm
最低作業溫度： - 40 C
最高作業溫度：+ 125 C
包裝：託盤
品牌：Infineon Technologies
高度：30.5 公釐
長度： 106.4 公釐
最大閘極發射器電壓：20 V
安裝方式：底座安裝
產品類型：IGBT 模組
系列：IGBT2 快速
10
子類別：IGBT
技術：Si
寬度：61.4 公釐
零件 # 別名：SP000100706 FF150R12KS4HOSA1
單位重量：340 公克
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